王凯宏，男，1992年生，博士，讲师，硕士生导师。主要研究方向为面向新能源应用的大容量功率半导体器件和关键储能元件的可靠性研究，包括：大功率多芯片半导体器件的可靠性研究、宽禁带功率半导体器件的可靠性与应用研究，和锂电池状态监测与健康管理研究等。主要在《IEEE Transactions on Power Electronics》和《IEEE Transactions on Industrial Electronics》等国内外顶级期刊上发表多篇论文。目前担任多个SCI期刊的审稿人。

科研论文：

[1] Kaihong Wang, Luowei Zhou, Pengju Sun, Xiong Du. Monitoring Bond Wires Fatigue of Multichip IGBT Module Using Time Duration of The Gate Charge[J], IEEE Transactions on Power Electronics, 2021, 36(1): 888-897

[2] Kaihong Wang, Luowei Zhou, Pengju Sun, Xiong Du. Monitoring Bond Wires Defects of IGBT Module Using Module Transconductance[J], Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, 2021, 9(2): 2201-2211.

[3] Kaihong Wang, Luowei Zhou, Pengju Sun, Xiong Du. Monitoring Chip Branch Failure in Multichip IGBT Modules Based on Gate Charge[J], IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2023, 70(5): 5214-5223.

[4] M. Xie, P. Sun, K. Wang, Q. Luo and X. Du. Online Gate-Oxide Degradation Monitoring of Planar SiC MOSFETs Based on Gate Charge Time[J], IEEE Transactions on Power Electronics, 2022, 37(6): 7333-7343.

[5] B. Zhu, Y. Liu, S. Zhi, K. Wang and J. Liu. A Family of Bipolar High Step-Up Zeta–Buck–Boost Converter Based on “Coat Circuit” [J], IEEE Transactions on Power Electronics, 2023, 38(3): 3328-3339.

[6] Y. Yang, B. Zhu, X. She, K. Wang and A. Liu. A Family of Bipolar DC–DC Converters With Interpolar Voltage Self-Balancing Based on FB-BVMs for BLVDC Microgrid[J], IEEE Transactions on Industrial Electronics.

[7] 王凯宏,朱一荻,孙鹏菊,等.GaN器件稳态温敏电参数特性的研究[J].电工技术学报,2024,39(19):5995-6007.

[8] 杨舒萌,孙鹏菊,王凯宏,等.恒流驱动下基于V_{eE_max}的IGBT模块解耦老化影响的结温测量方法[J].电工技术学报,2022,37(12):3038-3047+3072.

授权专利：

[1] 王凯宏; 鲁金科; 邾玢鑫 等.一种GaN器件结温测量电路及测量方法:202210225486.3[P].2024-09-10.

[2] 王凯宏; 鲁金科; 邾玢鑫 等.一种GaN器件结温和热阻监测电路及方法:202210224244.2[P].2024-09-10.

[3] 王凯宏; 周子牛; 邾玢鑫 等.一种用于GaN功率器件的功率循环主电路:202210224243.8[P].2025-04-22.

[4] 王凯宏; 赵浩; 邾玢鑫 等.一种GaN模块散热性能衰退的监测电路及方法:202210225470.2[P].2024-09-10.

[5] 王凯宏; 周雒维; 孙鹏菊 等.多芯片IGBT模块键合线缺陷的监测电路及监测方法:202010512891.4[P].2021-04-20.

[6] 王凯宏; 周雒维; 孙鹏菊 等.基于门极电荷变化的IGBT模块内部缺陷监测方法及电路:202011016747.8[P].2020-12-22.

科研项目：

[1] 宜昌市科技研究与开发项目，基于动态电阻的宽禁带功率半导体GaN器件可靠性表征研究，主持，2023.

[2] 湖北省自然科学基金一般青年基金项目，基于健康状态监测的功率GaN器件加速老化试验和寿命表征研究，主持，2024.

联系方式：

E-mail：wangkaihong@ctgu.edu.cn

地点：三峡大学电气与新能源学院电气实验楼D203室